中清航科CutSim軟件建立熱-力-流體耦合模型,預(yù)測切割溫度場/應(yīng)力場分布。輸入材料參數(shù)即可優(yōu)化工藝,客戶開發(fā)周期縮短70%,試錯(cuò)成本下降$50萬/項(xiàng)目。針對MEMS陀螺儀等真空封裝器件,中清航科提供10??Pa級真空切割艙。消除空氣阻尼影響,切割后器件Q值保持率>99.8%,良率提升至98.5%。中清航科AI排程引擎分析晶圓MAP圖,自動(dòng)規(guī)劃切割路徑與順序。材料利用率提升7%,設(shè)備空閑率下降至8%,支持動(dòng)態(tài)插單響應(yīng)(切換時(shí)間<5分鐘)。針對碳化硅晶圓,中清航科激光改質(zhì)切割技術(shù)突破硬度限制。碳化硅線晶圓切割代工廠
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動(dòng)切割機(jī)配備多軸聯(lián)動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng),通過實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓形變動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。江蘇碳化硅晶圓切割廠中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認(rèn)證,月產(chǎn)能達(dá)50萬片。
為提升芯片產(chǎn)出量,中清航科通過刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位,將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi),使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%,明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置,在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場,配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒,潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)(>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺)。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI(自動(dòng)光學(xué)檢測)模塊,采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級判定,不良品自動(dòng)標(biāo)記,避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi),每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。
隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì),承諾在收到客戶新樣品后 72 小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報(bào)告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要,中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn),在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等,同時(shí)配備安全警示系統(tǒng),實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn),確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。切割道寬度測量儀中清航科研發(fā),在線檢測精度達(dá)0.05μm。
中清航科ESG解決方案:設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊,智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告,助力客戶達(dá)成碳中和目標(biāo),已獲全球25家代工廠采購認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層,剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%,剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng):通過LIBS(激光誘導(dǎo)擊穿光譜)在線分析顆粒元素構(gòu)成,自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效,良率提升1.2%。晶圓切割MES系統(tǒng)中清航科定制,實(shí)時(shí)追蹤每片切割工藝參數(shù)。臺(tái)州晶圓切割測試
晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案,效率達(dá)6000片/小時(shí)。碳化硅線晶圓切割代工廠
晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù),系統(tǒng)就能自動(dòng)生成比較好的切割方案,包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù),新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝水平,大幅降低技術(shù)門檻。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對設(shè)備的占地面積有著嚴(yán)格要求,中清航科采用緊湊型設(shè)計(jì)理念,將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在 2 平方米以內(nèi),較傳統(tǒng)設(shè)備減少 40%。在有限空間內(nèi),通過巧妙的結(jié)構(gòu)布局實(shí)現(xiàn)全部功能集成,同時(shí)預(yù)留擴(kuò)展接口,方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊,滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。碳化硅線晶圓切割代工廠