為應對Chiplet集成挑戰(zhàn)，中清航科推出自主知識產權的混合鍵合（Hybrid Bonding）平臺。采用銅-銅直接鍵合工藝，凸點間距降至5μm，互連密度達10?/mm2。其測試芯片在16核處理器集成中實現8Tbps/mm帶寬，功耗只為傳統(tǒng)方案的1/3。中清航科研發(fā)的納米銀燒結膠材料突破高溫封裝瓶頸。在SiC功率模塊封裝中，燒結層導熱系數達250W/mK，耐受溫度600℃，使模塊壽命延長5倍。該材料已通過ISO 26262認證，成為新能源汽車OBC充電模組優(yōu)先選擇方案。中清航科聚焦芯片封裝創(chuàng)新，用模塊化設計滿足多樣化應用需求。浙江芯片封裝廠家

中清航科的品牌建設與口碑：經過多年的發(fā)展，中清航科憑借質優(yōu)的產品、先進的技術和完善的服務，在芯片封裝行業(yè)樹立了良好的品牌形象。公司的產品和服務得到了客戶的認可，積累了良好的市場口碑。許多客戶與公司建立了長期合作關系，不僅是因為公司的技術實力，更是信賴其可靠的產品質量和貼心的客戶服務。

與中清航科合作的成功案例分享：多年來，中清航科與眾多行業(yè)客戶建立了合作關系，取得了一系列成功案例。例如，為某通信設備制造商提供 5G 基站芯片封裝服務，通過采用先進的 SiP 技術，提高了芯片集成度和通信速度，助力該客戶的 5G 基站產品在市場上占據帶頭地位；為某汽車電子企業(yè)定制自動駕駛芯片封裝方案，解決了芯片在復雜汽車環(huán)境下的可靠性問題，保障了自動駕駛系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。這些成功案例充分證明了中清航科的技術實力和服務水平，為新客戶提供了有力的合作參考。 基板封裝5G 芯片對封裝要求高，中清航科定制方案，適配高速傳輸場景需求。

中清航科深紫外LED封裝攻克出光效率瓶頸。采用氮化鋁陶瓷基板搭配高反射鏡面腔體，使280nm UVC光電轉換效率達12%。在殺菌模組應用中，光功率密度提升至80mW/cm2，壽命突破10,000小時?；贛EMS壓電薄膜異質集成技術，中清航科實現聲學傳感器免ASIC封裝。直接輸出數字信號的壓電微橋結構，使麥克風信噪比達74dB。尺寸縮小至1.2×0.8mm2，助力TWS耳機減重30%。中清航科太赫茲頻段封裝突破300GHz屏障。采用石英波導過渡結構，在0.34THz頻點插損＜3dB。其天線封裝（AiP）方案使安檢成像分辨率達2mm，已用于人體安檢儀量產。

中清航科超細間距倒裝焊工藝突破10μm極限。采用激光輔助自對準技術，使30μm微凸點對位精度達±1μm。在CIS圖像傳感器封裝中，該技術消除微透鏡偏移問題，提升低光照下15%成像質量。中清航科開發(fā)出超薄中心less基板，厚度100μm。通過半加成法（mSAP）實現2μm線寬/間距，傳輸損耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天線封裝方案已通過CTIA OTA認證，輻射效率達72%。為響應歐盟RoHS 2.0標準，中清航科推出無鉛高可靠性封裝方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸點，熔點138℃且抗跌落性能提升3倍。其綠色電鍍工藝使廢水重金屬含量降低99%，獲三星Eco-Partner認證。中清航科芯片封裝創(chuàng)新，支持多芯片異構集成，突破單一芯片性能局限。

芯片封裝的成本控制：在芯片產業(yè)鏈中，封裝環(huán)節(jié)的成本占比不容忽視。如何在保證質量的前提下有效控制成本，是企業(yè)關注的重點。中清航科通過優(yōu)化生產流程、提高設備利用率、批量采購原材料等方式，降低封裝成本。同時，公司會根據客戶的產量需求，提供靈活的成本方案，既滿足小批量定制化生產的成本控制，也能應對大規(guī)模量產的成本優(yōu)化，讓客戶在競爭激烈的市場中獲得成本優(yōu)勢。想要了解更多內容可以關注我司官網，同時歡迎新老客戶來電咨詢。存儲芯片封裝求快求穩(wěn)，中清航科接口優(yōu)化，提升數據讀寫速度與穩(wěn)定性。陶瓷電線封裝

中清航科芯片封裝工藝，通過仿真優(yōu)化，提前規(guī)避量產中的潛在問題。浙江芯片封裝廠家

面對衛(wèi)星載荷嚴苛的空間環(huán)境，中清航科開發(fā)陶瓷多層共燒（LTCC）MCM封裝技術。采用鎢銅熱沉基底與金錫共晶焊接，實現-196℃~+150℃極端溫變下熱失配率＜3ppm/℃。通過嵌入式微帶線設計將信號串擾抑制在-60dB以下，使星載處理器在單粒子翻轉（SEU）事件率降低至1E-11 errors/bit-day。該方案已通過ECSS-Q-ST-60-13C宇航標準認證，成功應用于低軌衛(wèi)星星務計算機，模塊失效率＜50FIT（10億小時運行故障率）。

針對萬米級深海探測裝備的100MPa超高壓環(huán)境，中清航科金屬-陶瓷復合封裝結構。采用氧化鋯增韌氧化鋁（ZTA）陶瓷環(huán)與鈦合金殼體真空釬焊，實現漏率＜1×10?1? Pa·m3/s的密封。內部壓力補償系統(tǒng)使腔體形變＜0.05%，保障MEMS傳感器在110MPa壓力下精度保持±0.1%FS。耐腐蝕鍍層通過3000小時鹽霧試驗，已用于全海深聲吶陣列封裝，在馬里亞納海溝實現連續(xù)500小時無故障探測。 浙江芯片封裝廠家