為提升芯片產(chǎn)出量，中清航科通過刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi)，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級(jí)粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場(chǎng)，配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒，潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)（>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺）。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）模塊，采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級(jí)判定，不良品自動(dòng)標(biāo)記，避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi)，每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。寧波碳化硅晶圓切割寬度

隨著芯片輕薄化趨勢(shì)，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。麗水碳化硅陶瓷晶圓切割刀片復(fù)合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設(shè)備，兼容激光與刀片。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案：先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率，解決化合物半導(dǎo)體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動(dòng)切割機(jī)配備多軸聯(lián)動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)，通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓形變動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi)，支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。

為幫助客戶應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)人才短缺問題，中清航科推出 “設(shè)備 + 培訓(xùn)” 打包服務(wù)。購(gòu)買設(shè)備的客戶可獲得技術(shù)培訓(xùn)名額，培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋設(shè)備操作、工藝調(diào)試、故障排除等，培訓(xùn)結(jié)束后頒發(fā)認(rèn)證證書。同時(shí)提供在線技術(shù)支持平臺(tái)，隨時(shí)解答客戶在生產(chǎn)中遇到的技術(shù)問題。隨著半導(dǎo)體器件向微型化、集成化發(fā)展，晶圓切割的精度要求將持續(xù)提升。中清航科已啟動(dòng)亞微米級(jí)切割技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，計(jì)劃通過引入更高精度的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)與更短波長(zhǎng)的激光源，實(shí)現(xiàn) 500nm 以內(nèi)的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領(lǐng)域的發(fā)展提供關(guān)鍵制造設(shè)備支持。晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。

對(duì)于高價(jià)值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進(jìn)入設(shè)備后都會(huì)生成單獨(dú)的二維碼標(biāo)識(shí)，全程記錄切割時(shí)間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測(cè)結(jié)果等信息，可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù)，為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術(shù)?？稍谇懈畹耐瑫r(shí)完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內(nèi)，有效減少邊緣應(yīng)力集中，提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運(yùn)與清洗的晶圓加工流程。晶圓切割全流程追溯系統(tǒng)中清航科開發(fā)，實(shí)現(xiàn)單芯片級(jí)質(zhì)量管理。藍(lán)寶石晶圓切割

中清航科切割機(jī)防震平臺(tái)隔絕0.1Hz振動(dòng)，保障切割穩(wěn)定性。寧波碳化硅晶圓切割寬度

大規(guī)模量產(chǎn)場(chǎng)景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線，集成自動(dòng)上下料、在線檢測(cè)與 NG 品分揀功能，單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理 30 片 12 英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至 90% 以上，明顯降低人工干預(yù)帶來的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺(tái)，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。寧波碳化硅晶圓切割寬度