針對航天電子需求，中清航科在屏蔽室內完成切割（防宇宙射線干擾）。采用低介電刀具材料，避免靜電放電損傷，芯片單粒子翻轉率降至10?? errors/bit-day。中清航科提供IATF 16949認證切割參數(shù)包：包含200+測試報告（剪切力/熱沖擊/HAST等），加速客戶車規(guī)芯片認證流程，平均縮短上市時間6個月。中清航科殘渣圖譜數(shù)據(jù)庫：通過質譜分析切割碎屑成分，溯源工藝缺陷。每年幫助客戶解決15%的隱性良率問題，挽回損失超$300萬。中清航科氣動懸浮切割頭：根據(jù)晶圓厚度自動調節(jié)壓力（范圍0.1-5N，精度±0.01N）。OLED顯示面板切割良率提升至99.8%，邊緣像素損壞率<0.01%。

面向磁傳感器制造，中清航科開發(fā)超導磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場（0.5T）下懸浮，消除機械接觸應力，切割后磁疇結構畸變率<0.3%，靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬，純度達99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價值超$80萬，回收水符合SEMI F78標準，實現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層，中清航科采用熱激光控制技術（LCT）。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃，降低材料脆性，電池效率損失<0.1%，碎片率控制在0.2%以內。

隨著 Chiplet 技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達到 ±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過 0.5μm，為 Chiplet 的高精度互聯(lián)奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形 Die 的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業(yè)完成定制化項目交付。

在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面，中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務。通過產(chǎn)能模擬軟件，根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設備利用率等參數(shù)，精確計算所需設備數(shù)量與配置方案，并提供投資回報分析，幫助客戶優(yōu)化設備采購決策，避免產(chǎn)能過?；虿蛔愕膯栴}。針對晶圓切割過程中可能出現(xiàn)的異常情況，中清航科開發(fā)了智能應急處理系統(tǒng)。設備可自動識別切割偏差過大、晶圓破裂等異常狀態(tài)，并根據(jù)預設方案采取緊急停機、廢料處理等措施，同時自動保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù)，為后續(xù)問題分析提供依據(jù)，比較大限度減少損失。5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。

針對晶圓切割過程中的靜電防護問題，中清航科的設備采用全流程防靜電設計。從晶圓上料的導電吸盤到切割區(qū)域的離子風扇，再到下料區(qū)的防靜電輸送軌道，形成完整的靜電防護體系，將設備表面靜電電壓控制在 50V 以下，有效避免靜電對敏感芯片造成的潛在損傷。中清航科的晶圓切割設備具備強大的數(shù)據(jù)分析能力，內置數(shù)據(jù)挖掘模塊可對歷史切割數(shù)據(jù)進行深度分析，識別影響切割質量的關鍵因素，如環(huán)境溫度波動、晶圓批次差異等，并自動生成工藝優(yōu)化建議。通過持續(xù)的數(shù)據(jù)積累與分析，幫助客戶不斷提升切割工藝水平，實現(xiàn)持續(xù)改進。中清航科真空吸附晶圓托盤，解決超薄晶圓切割變形難題。臺州sic晶圓切割藍膜

采用中清航科激光隱形切割技術，晶圓分片效率提升40%以上。江蘇碳化硅線晶圓切割劃片廠

面對全球半導體設備供應鏈的不確定性，中清航科構建了多元化的供應鏈體系。與國內 200 余家質優(yōu)供應商建立長期合作關系，關鍵部件實現(xiàn)多源供應，同時在各地建立備件中心，儲備充足的易損件與中心部件，確保設備維修與升級時的備件及時供應，縮短設備停機時間。晶圓切割設備的能耗成本在長期運行中占比較大，中清航科通過能效優(yōu)化設計，使設備的單位能耗降低至 0.5kWh / 片（12 英寸晶圓），較行業(yè)平均水平降低 35%。采用智能休眠技術，設備閑置時自動進入低功耗模式，進一步節(jié)約能源消耗，為客戶降低長期運營成本。江蘇碳化硅線晶圓切割劃片廠