針對晶圓切割后的表面清潔度要求,中清航科在設(shè)備中集成了在線等離子清洗模塊。切割完成后立即對晶圓表面進(jìn)行等離子處理,去除殘留的切割碎屑與有機(jī)污染物,清潔度達(dá)到 Class 10 標(biāo)準(zhǔn)。該模塊可與切割流程無縫銜接,減少晶圓轉(zhuǎn)移過程中的二次污染風(fēng)險。中清航科注重晶圓切割設(shè)備的人性化設(shè)計,操作界面采用直觀的圖形化布局,支持多語言切換與自定義快捷鍵設(shè)置。設(shè)備配備可調(diào)節(jié)高度的操作面板與符合人體工學(xué)的扶手設(shè)計,減少操作人員長時間工作的疲勞感,同時提供聲光報警與故障提示,使操作更便捷高效。中清航科推出切割廢料回收服務(wù),晶圓利用率提升至99.1%?;窗舶雽?dǎo)體晶圓切割劃片
為提升芯片產(chǎn)出量,中清航科通過刀片動態(tài)平衡控制+激光輔助定位,將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計減少材料浪費,使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%,明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置,在切割點10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場,配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒,潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)(>0.3μm顆粒<1個/立方英尺)。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI(自動光學(xué)檢測)模塊,采用多光譜成像技術(shù)實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級判定,不良品自動標(biāo)記,避免后續(xù)封裝資源浪費,每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。寧波藍(lán)寶石晶圓切割代工廠中清航科聯(lián)合高校成立切割技術(shù)研究院,突破納米級切割瓶頸。
針對晶圓切割過程中的靜電防護(hù)問題,中清航科的設(shè)備采用全流程防靜電設(shè)計。從晶圓上料的導(dǎo)電吸盤到切割區(qū)域的離子風(fēng)扇,再到下料區(qū)的防靜電輸送軌道,形成完整的靜電防護(hù)體系,將設(shè)備表面靜電電壓控制在 50V 以下,有效避免靜電對敏感芯片造成的潛在損傷。中清航科的晶圓切割設(shè)備具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析能力,內(nèi)置數(shù)據(jù)挖掘模塊可對歷史切割數(shù)據(jù)進(jìn)行深度分析,識別影響切割質(zhì)量的關(guān)鍵因素,如環(huán)境溫度波動、晶圓批次差異等,并自動生成工藝優(yōu)化建議。通過持續(xù)的數(shù)據(jù)積累與分析,幫助客戶不斷提升切割工藝水平,實現(xiàn)持續(xù)改進(jìn)。
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng),通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍,單刀切割達(dá)500片。
隨著 Chiplet 技術(shù)的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng),采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制,定位精度達(dá)到 ±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進(jìn)行實時校準(zhǔn),確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過 0.5μm,為 Chiplet 的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團(tuán)隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求,定制專屬切割方案,如針對特殊異形 Die 的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項目交付。選擇中清航科切割代工服務(wù),復(fù)雜圖形晶圓損耗降低27%。常州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割代工廠
中清航科切割冷卻系統(tǒng)專利設(shè)計,溫差梯度控制在0.3℃/mm?;窗舶雽?dǎo)體晶圓切割劃片
大規(guī)模量產(chǎn)場景中,晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線,集成自動上下料、在線檢測與 NG 品分揀功能,單臺設(shè)備每小時可處理 30 片 12 英寸晶圓,且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控,設(shè)備綜合效率(OEE)提升至 90% 以上,明顯降低人工干預(yù)帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高,晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展,目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm,切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù),通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性,配合特制真空吸附平臺,確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm,為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。淮安半導(dǎo)體晶圓切割劃片