商甲半導(dǎo)體經(jīng)營產(chǎn)品:N溝道m(xù)osfet、P溝道m(xù)osfet、N+P溝道m(xù)osfet(Trench/SGT 工藝)、超結(jié)SJ mosfet等。
超結(jié)MOS(SuperJunctionMetal-Oxide-Semiconductor,簡(jiǎn)稱SJ-MOS)是電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的一類功率器件,其主要特征是在傳統(tǒng)MOSFET基礎(chǔ)上引入了超結(jié)結(jié)構(gòu),使其在高電壓、大電流條件下具備更優(yōu)越的性能。超結(jié)MOS器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET有著更低的導(dǎo)通電阻和更高的耐壓性能,廣泛應(yīng)用于高效能電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,如開關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電等。
而超結(jié)MOS也是為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的問題,超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET在D端和S端排列多個(gè)垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu),其結(jié)果是在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻。超級(jí)結(jié)的存在**突破了硅的理論極限,而且額定電壓越高,導(dǎo)通電阻的下降越明顯。以下圖為例,超結(jié)在S端和D端增加了長(zhǎng)長(zhǎng)的柱子,形成垂直的PN結(jié),交替排列。N層和P層在漂移層中設(shè)置垂直溝槽,當(dāng)施加電壓時(shí)耗盡層水平擴(kuò)展,很快合并形成與溝槽深度相等的耗盡層。耗盡層*擴(kuò)展至溝槽間距的一半,因此形成厚度等于溝槽深度的耗盡層。耗盡層的膨脹小且良好,允許漂移層雜質(zhì)濃度增加約5倍,從而可以降低RDS(ON) 商甲半導(dǎo)體提供PD快充應(yīng)用MOSFET選型。廣西送樣MOSFET選型參數(shù)
無錫商甲半導(dǎo)體專業(yè)從事各類MOSFET/IGBT/SIC 產(chǎn)品。
隨著電子技術(shù)在工業(yè)、交通、消費(fèi)、醫(yī)療等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,當(dāng)代社會(huì)對(duì)電力電子設(shè)備的要求也越來越高,功率半導(dǎo)體就是影響這些電力電子設(shè)備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來,以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色,功率MOSFET是其中**典型的**。
MOSFET,全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor),是一種非常重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個(gè)開關(guān),控制電流的流動(dòng)。
20V至100V N+P MOSFETMOSFET選型參數(shù)歡迎選購無錫商甲半導(dǎo)體,產(chǎn)品下游終端應(yīng)用覆蓋汽車電子、AI服務(wù)器、人形機(jī)器人、低空飛行器等重要領(lǐng)域。
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MOSFET選型原則行業(yè)技術(shù)發(fā)展總趨勢(shì)為:小型化、表貼化,高頻化,高功率密度化,高效率化,高可靠性,集成化,綠色化。重點(diǎn)突出高頻化,高功率密度化,高可靠性及集成化。
行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要體現(xiàn)在MOSFET芯片材料,晶圓技術(shù),芯片技術(shù)及封裝技術(shù)的演進(jìn)及發(fā)展。
選型原則如下:禁止選用處于生命周期末期的插件封裝器件(能源用TO220,TO247除外)及封裝為SO8,DPAK的表貼器件。對(duì)于信號(hào)MOSFET推薦選用柵極集成TVS保護(hù)的小型化表貼器件。
MOS管常用封裝隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,如今主板和顯卡的PCB板更傾向于采用表面貼裝式封裝的MOSFET,而非傳統(tǒng)的直插式封裝。因此,本文將重點(diǎn)探討表面貼裝式封裝的MOSFET,并深入介紹MOS管的外部封裝技術(shù)、內(nèi)部封裝改進(jìn)技術(shù)、整合式DrMOS、MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)以及具體的MOSFET實(shí)例等。接下來,我們將對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式進(jìn)行概述,包括TO(晶體管輪廓)封裝等。
1、TO(TransistorOut-line)即“晶體管外形”,是一種早期的封裝規(guī)格。其中,TO-92、TO-92L、TO-220以及TO-252等都是采用插入式封裝設(shè)計(jì)。
隨著表面貼裝市場(chǎng)的需求不斷增長(zhǎng),TO封裝也逐漸演進(jìn)為表面貼裝式封裝。特別是TO252和TO263,這兩種表面貼裝封裝方式得到了廣泛應(yīng)用。值得注意的是,TO-252也被稱為D-PAK,而TO-263則被稱為D2PAK。 商甲半導(dǎo)體通過技術(shù)突破(如SGT GS/SJ G3技術(shù)、智能化設(shè)計(jì))實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品系列國產(chǎn)化,加速國產(chǎn)替代。
商家半導(dǎo)體有各類封裝的MOSFET產(chǎn)品。
功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性比較如下:
1. 驅(qū)動(dòng)方式:場(chǎng)效應(yīng)管是電壓驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)比較簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率??;功率晶體管是電流驅(qū)動(dòng),設(shè)計(jì)較復(fù)雜,驅(qū)動(dòng)條件選擇困難,驅(qū)動(dòng)條件會(huì)影響開關(guān)速度。
2. 開關(guān)速度:場(chǎng)效應(yīng)管無少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng),溫度影響小,開關(guān)工作頻率可達(dá)150KHz以上;功率晶體管有少數(shù)載流子存儲(chǔ)時(shí)間限制其開關(guān)速度,工作頻率一般不超過50KHz。
3. 安全工作區(qū):功率場(chǎng)效應(yīng)管無二次擊穿,安全工作區(qū)寬;功率晶體管存在二次擊穿現(xiàn)象,限制了安全工作區(qū)。
4. 導(dǎo)體電壓:功率場(chǎng)效應(yīng)管屬于高電壓型,導(dǎo)通電壓較高,有正溫度系數(shù);功率晶體管無論耐電壓的高低,導(dǎo)體電壓均較低,具有負(fù)溫度系數(shù)。
5. 峰值電流:功率場(chǎng)效應(yīng)管在開關(guān)電源中用做開關(guān)時(shí),在啟動(dòng)和穩(wěn)態(tài)工作時(shí),峰值電流較低;而功率晶體管在啟動(dòng)和穩(wěn)態(tài)工作時(shí),峰值電流較高。
6. 產(chǎn)品成本:功率場(chǎng)效應(yīng)管的成本略高;功率晶體管的成本稍低。
7. 熱擊穿效應(yīng):功率場(chǎng)效應(yīng)管無熱擊穿效應(yīng);功率晶體管有熱擊穿效應(yīng)。8. 開關(guān)損耗:場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)損耗很??;功率晶體管的開關(guān)損耗比較大。 采用提供超高可靠性、高性價(jià)比的功率半導(dǎo)體解決方案,覆蓋新能源汽車、AI服務(wù)器、低空飛行器等高增長(zhǎng)領(lǐng)域。海南UPSMOSFET選型參數(shù)
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Trench工藝
定義和原理
Trench工藝是一種三維結(jié)構(gòu)的MOSFET加工技術(shù),通過挖掘溝槽(Trench)的方式,在硅襯底內(nèi)部形成溝槽結(jié)構(gòu),使得源、漏、柵三個(gè)區(qū)域更為獨(dú)一立,并能有效降低器件的漏電流。
制造過程
蝕刻溝槽:在硅片表面進(jìn)行刻蝕,形成Trench結(jié)構(gòu)。
填充絕緣層:在溝槽內(nèi)填充絕緣材料,防止漏電。
柵極沉積:在溝槽開口處沉積金屬形成柵極。
特點(diǎn)
提高了器件的性能和穩(wěn)定性,減小漏電流。
適用于高功率、高頻應(yīng)用。
制作工藝復(fù)雜,成本較高。 廣西送樣MOSFET選型參數(shù)
無錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專業(yè)從事各類MOSFET、IGBT產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售??偛课挥诮K省無錫市經(jīng)開區(qū),是無錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。公司目前已經(jīng)與國內(nèi)的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作,多平臺(tái)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)品在開關(guān)特性、導(dǎo)通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好,得到多家客戶的好評(píng)。
公司定位新型Fabless模式,在設(shè)計(jì)生產(chǎn)高性能產(chǎn)品基礎(chǔ)上,提供個(gè)性化參數(shù)調(diào)控,量身定制,多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產(chǎn)品齊全,可廣泛應(yīng)用于工控、光伏、儲(chǔ)能、家電、照明、5G通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域,公司在功率器件主要業(yè)務(wù)領(lǐng)域已形成可觀的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和市場(chǎng)地位。公司秉承:“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營銷,參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景,堅(jiān)持“質(zhì)量至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”的發(fā)展策略,遵循“問題解決+產(chǎn)品交付+售后服務(wù)”的營銷法則,努力將公司建設(shè)成一個(gè)具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。