顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體材料或多晶硅。當半導體層322包含氧化物半導體材料時，可以在半導體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋，使得可以防止半導體層322的熱降解。另一方面，當半導體層322包含多晶硅時，可以在半導體層322的兩側中摻雜雜質。在半導體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導體層322的中心相對應。在圖6中，柵極絕緣層324形成在基板310的整個表面上。或者。捷捷微大功率二極管原裝現(xiàn)貨。上海激光二極管公司

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于產生一電流鏡單元偏置電壓和二電流鏡單元偏置電壓。像素外偏置電壓產生模塊包括運放鉗位和產生電流鏡偏置兩部分，運放鉗位部分包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一電阻r1、二電阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一運算放大器op1的正相輸入端接基準電壓vref，反相輸入端接二pmos管mp2的源極即a點，a點通過運放鉗位產生步進電壓，步進電壓的值通過基準電壓vref設置，基準電壓vref的大小即為想要實現(xiàn)的步進電壓的值，一些實施例中基準電壓vref和基準電流iref可由同一個帶隙基準產生。二運算放大器op2的正相輸入端接地，反相輸入端接四pmos管mp4的源極即b點，b點通過運放鉗位產生0v電壓。產生電流鏡偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3，一pmos管mp1和三pmos管mp3分別與像素內偏壓調節(jié)模塊內的一電流鏡單元和二電流鏡單元構成電流鏡結構，將流過一pmos管mp1和三pmos管mp3的電流進行鏡像。像素內偏壓調節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻r3和五pmos管mp5，一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流。南京整流二極管哪家公司好樂山車規(guī)級二極管原裝現(xiàn)貨。

    2.根據實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑具有比較大發(fā)射波長，以及所述磷光摻雜劑具有比所述比較大發(fā)射波長更長的第二比較大發(fā)射波長。3.根據實施方案2所述的有機發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。4.根據實施方案3所述的有機發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。5.根據實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及其中m為2至5的整數，n為1至3的整數，以及m+n小于或等于6。6.根據實施方案5所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式2：[式2]7.根據實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。

    本發(fā)明屬于集成電路領域與光電領域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調節(jié)的電路。背景技術：單光子探測技術是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測能力，被廣泛應用于單光子探測技術。單光子探測技術可被用于光子測距、國防、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高，單光子探測技術正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測的一致性成為重要指標。apd陣列的靈敏度與偏壓相關，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。捷捷微整流二極管原裝現(xiàn)貨。

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變，從而將其鉗位到步進電壓處。本發(fā)明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調節(jié)，為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟，四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定，pmos管的閾值電壓vth接近1v，所以負電源電壓vne可以設置為-1v?？梢姳景l(fā)明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調節(jié)范圍。一些實施例中，一運算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設置有一電平位移電路，二運算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設置有二電平位移電路，電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進電壓和0v處。為了精簡電路，像素外偏置電壓產生模塊中一運算放大器和二運算放大器可以采用相同的結構，如均采用折疊式共源共柵運放結構或其他類型的運放結構。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運放結構的實現(xiàn)形式，本實施例以一運算放大器為例進行說明。華南強茂二極管代理商公司。珠海整流二極管穩(wěn)壓

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    r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據實施方案13所述的有機發(fā)光二極管，其中所述基質選自式8：[式8]15.根據實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，還包括：包含藍色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據實施方案15所述的有機發(fā)光二極管，還包括：包含第二藍色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層；和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據實施方案15所述的有機發(fā)光二極管，還包括：包含第二延遲熒光摻雜劑和第二磷光摻雜劑并布置在所述第二發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第三發(fā)光材料層；以及在所述第二發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。18.根據實施方案17所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二延遲熒光摻雜劑為綠色摻雜劑，以及所述第二磷光摻雜劑為紅色摻雜劑。19.根據實施方案18所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。上海激光二極管公司

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