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⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過(guò)集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來(lái)的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著舉足輕重的地位，其獨(dú)特的開(kāi)關(guān)特性...

TCR在正常運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的特征諧波注入電網(wǎng)，因此必須采取措施將這些諧波消除或減弱。通常的辦法是并聯(lián)濾波器，并聯(lián)濾波器要么是串聯(lián)Lc結(jié)構(gòu)，要么是串聯(lián)LCR結(jié)構(gòu)。這些濾波器被調(diào)諧到5次和7次的主導(dǎo)諧波頻率，有時(shí)，也使用11次和13次濾波器或者只使用一個(gè)高通濾波...

1、高壓晶閘管 2、用于未來(lái)能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開(kāi)關(guān)二極管 3、采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的超高速開(kāi)關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無(wú)源器件的集成度。根據(jù)...

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類(lèi)型，...

但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱(chēng)為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的，如圖2所示。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)...

圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N基 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)：在電路中起到可控電子開(kāi)關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開(kāi)。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

整流變壓器是整流設(shè)備的電源變壓器。整流設(shè)備的特點(diǎn)是原方輸入交流，而副方通過(guò)整流元件后輸出直流。 變流是整流、逆流和變頻三種工作方式的總稱(chēng)，整流是其中應(yīng)用*****的一種。作為整流裝置電源用的變壓器稱(chēng)為整流變壓器。工業(yè)用的整流直流電源大部分都是由交流電網(wǎng)通過(guò)整流...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽(yáng)極電流減小到維持電流以下，或者使陽(yáng)極電壓變?yōu)榉聪颉６?、?lèi)型與特點(diǎn)類(lèi)型：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁壕哂袉蜗驅(qū)щ娦?，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ?，適用于交流電...

另外，由于整流元件的特性，可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度，可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值，這種調(diào)壓方式稱(chēng)為相控調(diào)壓。實(shí)現(xiàn)相控調(diào)壓，一是采用晶閥管，二是采用自飽和電抗器，自飽和電抗器基本上是由一個(gè)鐵芯和兩個(gè)繞組組成的，一個(gè)是工作繞組，它串聯(lián)...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)：在電路中起到可控電子開(kāi)關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開(kāi)。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)...

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

線路復(fù)測(cè)宜朝一個(gè)方向進(jìn)行，如從兩頭往中間進(jìn)行，則交接處至少應(yīng)超過(guò)（一基桿塔）兩個(gè)C樁。要檢查塔位中心樁是否穩(wěn)固，有無(wú)松動(dòng)現(xiàn)象。如有松動(dòng)現(xiàn)象，應(yīng)先釘穩(wěn)固，而后再測(cè)量。對(duì)復(fù)測(cè)校準(zhǔn)的塔位樁，必須設(shè)置明顯穩(wěn)固的標(biāo)識(shí)，對(duì)兩施工單位施工分界處，一定要復(fù)測(cè)到轉(zhuǎn)角處并超過(guò)兩基...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計(jì)，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

另外，變壓器的標(biāo)稱(chēng)容量還與允許的溫升有關(guān)，例如，如果一臺(tái)1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標(biāo)稱(chēng)容量，反過(guò)來(lái)說(shuō)，對(duì)于相同容...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過(guò)集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來(lái)的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件，以其獨(dú)特的性能和廣闊的應(yīng)...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的最大電流值。它是...

當(dāng)運(yùn)行點(diǎn)到達(dá)控制范圍的**右端，節(jié)點(diǎn)電壓進(jìn)一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來(lái)補(bǔ)償，因?yàn)門(mén)CR的電抗器已經(jīng)處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，所以運(yùn)行點(diǎn)將沿著對(duì)應(yīng)電抗器全導(dǎo)通(α=90°)的特性曲線向上移動(dòng)，此時(shí)補(bǔ)償器運(yùn)行在過(guò)負(fù)荷范圍，超過(guò)此范圍后，觸發(fā)控制將設(shè)置～個(gè)電流極限以防止晶閘...

導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒(méi)有增加這個(gè)部分），其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件?；膽?yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。當(dāng)正柵偏...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)...

其特點(diǎn)是：超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，原理不變；滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷，開(kāi)關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開(kāi)通時(shí)電容釋放的能量加大開(kāi)通損耗。在此對(duì)移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡(jiǎn)要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽(yáng)極電流減小到維持電流以下，或者使陽(yáng)極電壓變?yōu)榉聪?。二、?lèi)型與特點(diǎn)類(lèi)型：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁壕哂袉蜗驅(qū)щ娦?，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ?，適用于交流電...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類(lèi)型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過(guò)集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來(lái)的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著舉足輕重的地位，其獨(dú)特的開(kāi)關(guān)特性...