整個(gè)溫度范圍容量很穩(wěn)定,溫度也是-55~125度,適用于振蕩器,超高頻濾波去耦,但容量一般做不大,幾千個(gè)pF吧。陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩電路中,作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脈沖電壓擊穿,故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性;不同材料的陶瓷介質(zhì),其溫度特性有極大的差異。第yi類(lèi)陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D,在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分:第yi部分為(例如字母C)溫度系數(shù)α的有效數(shù)字;第二位部分有效數(shù)字的倍乘(如0即為100);第三部分為隨溫度變化的容差(以ppm/℃表示)。這三部分的字母與數(shù)字所表達(dá)的意義如表。哪家的陶瓷電容器的價(jià)格低?上海陶瓷電容器高壓取電用
尤其是在一些脈沖比較強(qiáng)的電路中是不能使用低頻瓷片電容的,否則很有可能會(huì)被電壓直接擊穿。二者的差異比較二者不同類(lèi)型的瓷片電容規(guī)格識(shí)別可以直接通過(guò)電容器或者是電路來(lái)進(jìn)行判斷。一般來(lái)說(shuō)可以耐受高壓,絕緣性比較好,而且比較可靠,運(yùn)用于高壓電路中的就屬于高頻瓷片電容。而低頻瓷片電容相比較而言可靠性以及成本都比較低,多數(shù)時(shí)候都是運(yùn)用于一些低頻電路以及耦合電路等的電容器中??焖僮R(shí)別方法一般來(lái)說(shuō)在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容,因?yàn)槠淙萘繒?huì)比較大,通過(guò)金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中,其容量的特性決定了使用電解電容的效果會(huì)比較好,但在使用的過(guò)程中還要注意yi制高頻阻抗不斷上升的情況。瓷片電容規(guī)格表瓷片電容規(guī)格表一:瓷片電容規(guī)格表二:四、瓷片電容的讀數(shù)方法瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同,分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000納法(nF),1納法=1000皮法(pF)。容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。南通高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器質(zhì)量好的陶瓷電容器的找誰(shuí)好?
也就是說(shuō)10μF的電容量在額定電壓時(shí)僅為不到μF!在高溫時(shí)由于電容量已經(jīng)下降到很低,所以這時(shí)的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大,但是比Y5V好得多。陶瓷電容器所允許加載的交流電壓與電流同頻率的關(guān)系主要受電容器的ESR影響;相對(duì)而言,C0G的ESR比較低,故可以承受比較大的電流,相應(yīng)的所允許施加的交流電壓相對(duì)比較大;X7R、X5R、Y5V、Z5U則ESR相對(duì)比較大,可承受比C0G要小,與此同時(shí),由于電容量遠(yuǎn)大于C0G,故所施加的電壓將遠(yuǎn)小于C0G。第yi類(lèi)介質(zhì)電容器的允許電壓、電流與頻率的關(guān)系第yi類(lèi)介質(zhì)電容器的允許電壓、電流與頻率的解讀當(dāng)加載頻率相對(duì)較低時(shí),即使加載交流電壓為額定交流電壓時(shí),流過(guò)電容器的電流低于額定電流時(shí),電容器允許加載額定交流電壓,即左圖的平直部分;當(dāng)加載頻率升高到即使加載電壓沒(méi)有達(dá)到交流額定電壓時(shí)的電容器中流過(guò)的交流電流已達(dá)到額定電流值,這是需要降低電容器的加載交流電壓,以保證流過(guò)電容器的電流不超過(guò)額定電流值,即左圖的曲線(xiàn)開(kāi)始下降部分;而加載頻率繼續(xù)上升,電容器的損耗因數(shù)而導(dǎo)致的發(fā)熱則成為電容器的加載電壓的主要限制因素,這是加載電壓將隨頻率的上升而急劇下降。
是數(shù)字0,不是字母O,有些文獻(xiàn)筆誤為NPO)以及我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CC系列等型號(hào)的陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為0±30PPM/℃),這種介質(zhì)極其穩(wěn)定,溫度系數(shù)極低,而且不會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時(shí)間的影響,介電系數(shù)可以達(dá)到400,介電強(qiáng)度相對(duì)高。這種介質(zhì)非常適用于高頻(特別是工業(yè)高頻感應(yīng)加熱的高頻功率振蕩、高頻無(wú)線(xiàn)發(fā)射等應(yīng)用的高頻功率電容器)、超高頻和對(duì)電容量、穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求定時(shí)、振蕩電路的工作環(huán)境,這種介質(zhì)電容器wei一的缺點(diǎn)是電容量不能做得很大(由于介電系數(shù)相對(duì)?。?,通常1206表面貼裝C0G介質(zhì)電容器的電容量從μF。Ⅱ類(lèi)陶瓷電容器Ⅱ類(lèi)的穩(wěn)定級(jí)陶瓷介質(zhì)材料如美國(guó)電工協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R以及我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CT系列等型號(hào)的陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為±),這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大,不適用于定時(shí)、振蕩等對(duì)溫度系數(shù)要求高的場(chǎng)合,但由于其介電系數(shù)可以做得很大(可以達(dá)到1200),因而電容量可以做得比較大,適用于對(duì)工作環(huán)境溫度要求較高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達(dá)到10μF或在再高一些;II類(lèi)的可用級(jí)陶瓷介質(zhì)材料如美國(guó)電工協(xié)會(huì)?,F(xiàn)貨銷(xiāo)售Y1Y2陶瓷電容器。
X7R表示為:第yi位X為zui低工作溫度-55℃,第二位的數(shù)字7位zui高工作溫度+125℃,第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%;X5R表示為:第yi位X為zui低工作溫度-55℃,第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃,第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%;Y5V表示為:第yi位Y為zui低工作溫度-30℃,第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃,第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%,-82%±15%。Z5U表示為:第yi位Z為zui低工作溫度+10℃,第二位的數(shù)字5位zui高工作溫度+85℃,第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%,-56%。陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類(lèi)介質(zhì)的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升,如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類(lèi)介質(zhì)的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類(lèi)陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數(shù)與頻率的關(guān)系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關(guān)系損耗因數(shù)與溫度的關(guān)系電容量與直流偏置電壓的關(guān)系第yi類(lèi)介質(zhì)電容器的電容量與直流偏置電壓無(wú)關(guān)。第二類(lèi)介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化,如圖。Y5V介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大,從無(wú)偏置時(shí)的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時(shí)得不到額定電容量的25%。使用陶瓷電容器的需要什么條件。貴州陶瓷電容器售后保障
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