滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽(yáng)極產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合生產(chǎn)氫氧化銀；在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)，氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水。由于電極反應(yīng)，陽(yáng)極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒，靠水膜連接成樹(shù)狀向陽(yáng)極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)表面，還能擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴(yán)重時(shí)可使用兩個(gè)銀電極之間完全短路，導(dǎo)致電容器擊穿。離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層，引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會(huì)因此而下降。表面絕緣電阻則因無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。銀離子遷移嚴(yán)重時(shí)，兩電極間搭起樹(shù)枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。綜上所述，銀離子遷移不僅會(huì)使非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器電性能惡化，而且可能引起介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)下降，后導(dǎo)致電容器擊穿。值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨(dú)石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象，比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴(yán)重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。性價(jià)比高的陶瓷電容器的機(jī)構(gòu)。常州高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器

    產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。vip會(huì)員網(wǎng)址"myMurata"CapacitorSite上已公布（GRMSeries）。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。vip會(huì)員網(wǎng)址myMurataCeramicCapacitorSite上升級(jí)產(chǎn)品研發(fā)品信息內(nèi)容。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。在FAQ中公布了一份表明微型化留意點(diǎn)的文檔。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。新聞報(bào)道保證接線端子間隔為4mm經(jīng)汽車用檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)評(píng)定的金屬材料接線端子型MLCC商業(yè)化產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。vip會(huì)員網(wǎng)址myMurataCapacitorSite上升級(jí)產(chǎn)品研發(fā)品信息內(nèi)容。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已升級(jí)。RoHS責(zé)任書(shū)/REACHSVHC責(zé)任書(shū)已升級(jí)。vip會(huì)員網(wǎng)址myMurataCapacitorSite上升級(jí)SGS匯報(bào)(GRM系列產(chǎn)品)。新聞報(bào)道0201規(guī)格100V的低損耗雙層陶瓷電容器商業(yè)化新聞報(bào)道智能機(jī)用3接線端子電力電容器0402規(guī)格超大型容積14uF產(chǎn)品商業(yè)化vip會(huì)員網(wǎng)址myMurataCapacitorSite上升級(jí)產(chǎn)品信息內(nèi)容（產(chǎn)品研發(fā)品?生產(chǎn)制造加工廠?SGS匯報(bào)）增加一個(gè)項(xiàng)目到運(yùn)用適用。筆記本中的電源插頭MLCC噪音防范措施REACHSVHC責(zé)任書(shū)已升級(jí)。江蘇超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器蘇州哪家機(jī)構(gòu)的陶瓷電容器的口碑比較好？

    解決指南MLCC的彎曲裂紋對(duì)策概要圖1：元件體裂紋的情形（切面）印刷線路板的分割與螺絲緊固、振動(dòng)與掉落所導(dǎo)致的沖擊會(huì)使MLCC（MultilayerCeramicChipCapacitor，積層貼片陶瓷片式電容器）的元件體產(chǎn)生裂紋，從而可能導(dǎo)致短路模式的故障。故障模式分為斷線狀態(tài)的開(kāi)路模式與短路模式，因短路模式導(dǎo)致的故障甚至可能導(dǎo)致異常發(fā)熱、冒煙、起火等情況，因此對(duì)于要求可靠性的設(shè)備而言對(duì)策不可或缺。為避免彎曲裂紋，同時(shí)提高設(shè)備可靠性，hisdar提供經(jīng)過(guò)冗長(zhǎng)設(shè)計(jì)的特殊型MLCC產(chǎn)品?？蛻艨筛鶕?jù)用途選擇產(chǎn)品,從而提高產(chǎn)品可靠性。MLCC發(fā)生彎曲裂紋的主要原因及過(guò)程電容器元件體內(nèi)部發(fā)生裂紋，相對(duì)的內(nèi)部電極導(dǎo)通時(shí)會(huì)發(fā)生彎曲裂紋。彎曲裂紋對(duì)策中需特別注意的應(yīng)用及基板從SMD封裝到成套組裝工序中發(fā)生的細(xì)微裂紋在產(chǎn)品被送往市場(chǎng)使用的過(guò)程中將可能逐步發(fā)展成為電容器元件體裂紋。hisdar提供下述MLCC以解決彎曲裂紋問(wèn)題1)金屬端子分散彎曲應(yīng)力，降低施加于電容器上的負(fù)荷：金屬支架電容2)樹(shù)脂電極吸收彎曲應(yīng)力，降低施加于電容器上的負(fù)荷：樹(shù)脂電珍品3)雙重故障安全功能設(shè)計(jì)可吸收彎曲應(yīng)力，即使發(fā)生元件體裂紋時(shí)也能預(yù)防彎曲裂紋：安全設(shè)計(jì)品（CEU系列）4)即使元件體發(fā)生裂紋。

    引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值xian著上升。由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會(huì)因此而下降。表面絕緣電阻則因無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。銀離子遷移嚴(yán)重時(shí)，兩電極間搭起樹(shù)枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。綜上所述，銀離子遷移不僅會(huì)使非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器電性能惡化，而且可能引起介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)下降，zui后導(dǎo)致電容器擊穿。值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨(dú)石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象，比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴(yán)重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒結(jié)過(guò)程中，銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應(yīng)，滲入了瓷-銀接觸形成界面層。如果陶瓷介質(zhì)不夠致密，則水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生，還可能穿透陶瓷介質(zhì)層。多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多，電極位置不易精確，介質(zhì)表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時(shí)銀漿滲入縫隙，降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時(shí)容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。超高壓陶瓷電容器_價(jià)格優(yōu)惠。

    使用建議在大于75℃的高溫場(chǎng)合，應(yīng)盡量少用小尺寸的鋁電解電容。盡量選用容量較大的規(guī)格，發(fā)揮鋁電解電容的優(yōu)勢(shì)。適宜用于工頻的整流平滑濾波、開(kāi)關(guān)電源輸入濾波和低頻開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波等，不推薦用于高頻開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波。參數(shù)鉭電解電容電容量限于固體燒結(jié)型工藝結(jié)構(gòu)和材料，其CV值（電容與電壓乘積）做不大，容量和電壓有一定范圍，一般從（常見(jiàn)的容量范圍1uF～220uF）；工作電壓從2V~50V（常見(jiàn)耐壓范圍為～50V）；容量的值隨著頻率的增大而減小，由于為固體MnO2電解質(zhì)，其容量溫度特性較穩(wěn)定，甚至溫度低到-190℃時(shí)，容量都只有10％減小量。ESRESR的溫度特性比較穩(wěn)定。廠家給出100KHz的ESRzui大值，可以作為設(shè)計(jì)的參考，但是實(shí)際值一般比zui大值小很多。ESL良好布線情況下一般為2nH左右。板上工作頻率范圍中低頻濾波，不超過(guò)數(shù)MHz，主要為幾百KHz到數(shù)MHz之間?？煽啃员∪觞c(diǎn)及其避免鉭電解電容的可靠應(yīng)用主要關(guān)注電壓降額和電壓變化速度，無(wú)法得到足夠電壓降額，同時(shí)上下電較快的地方建議用其他電容替代。同時(shí)邊緣規(guī)格的鉭電容工藝不夠成熟，慎用，特別是高可靠要求場(chǎng)合上不宜使用。使用建議15V以上直流電壓的濾波不建議使用鉭電容?，F(xiàn)貨供應(yīng)HJK高壓陶瓷電容器。浙江陶瓷電容器制定

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    高壓瓷片電容在于應(yīng)用在什么場(chǎng)所，典型性功效能夠清chu高頻率影響。2、在功率大的、高壓行業(yè)應(yīng)用的高壓瓷器電容器，規(guī)定具備中小型、高抗壓和頻率特點(diǎn)好等特性。近些年伴隨著原材料、電級(jí)和生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，高壓瓷器電容器的發(fā)展趨勢(shì)有長(zhǎng)久的進(jìn)度，并獲得廣fan運(yùn)用。高壓瓷器電容器已變成功率大的高壓電子設(shè)備不能缺乏的元器件之一。3、高壓瓷器電容器的主要用途關(guān)鍵分成合閘、配電系統(tǒng)的電氣設(shè)備和解決單脈沖動(dòng)能的機(jī)器設(shè)備。由于供電系統(tǒng)的獨(dú)特，自然環(huán)境的極端，規(guī)定電容具備強(qiáng)力的可靠性，即彈性系數(shù)要?。涣硗?，計(jì)量檢定，儲(chǔ)能技術(shù)，分壓電路等商品規(guī)定高精度，這對(duì)處在這類自然環(huán)境下的高壓瓷器電容器的局放，即局放量擁有極其嚴(yán)苛的規(guī)定：局放為零。高壓瓷片電容器潛在性安全隱患編寫(xiě)1、高電壓電容在超過(guò)其標(biāo)稱電壓下工作中時(shí)有可能產(chǎn)生毀滅性的毀壞。絕緣層材料的常見(jiàn)故障很有可能會(huì)造成在填滿油（一般這種油起阻隔空氣的作用）的小模塊造成電孤導(dǎo)致絕緣層液體揮發(fā)，造成電容凸起、裂開(kāi)乃至發(fā)生爆炸，毀壞周邊的機(jī)器設(shè)備。硬包裝的圓柱型夾層玻璃或塑膠電容相比一般長(zhǎng)方形包裝的電容更非常容易爆裂，而后面一種不易在高壓下開(kāi)裂。常州高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器

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