國內(nèi)外研制成功的高壓陶瓷電容器已經(jīng)廣fan應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機、辦公自動化設(shè)備、宇航、導(dǎo)彈、航海等方面。高壓陶瓷電容器的瓷料主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基兩大類。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點，但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃，在常溫下為立方晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，是順電體，不存在自發(fā)極化現(xiàn)象，在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化小，tgδ及電容變化率小，這些優(yōu)點使其作為高壓電容器介質(zhì)是十分有利的。（二）制造工藝要點（1）原料要精選影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純原料時，必須注意原料的適用性。（2）熔塊的制備熔塊的制備質(zhì)量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會阻礙軋膜工藝的進行：如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會影響球磨效率：研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。（3）成型工藝成型時要防止厚度方向壓力不均。蘇州低漏電陶瓷電容器廠家。內(nèi)蒙古陶瓷電容器廠家

    高壓薄膜電容器與高壓陶瓷電容器的區(qū)別1、高壓陶瓷電容的使用壽命更長薄膜電容的壽命也就是三兩年，電好的產(chǎn)品也不會超出5年。而高壓陶瓷電容器則不同，比方說帝科電容就公開承諾：按20年設(shè)計，至少保證使用10年。2、高壓陶瓷電容的內(nèi)阻更小這是由各自的構(gòu)造特點決定的。高壓陶瓷電容器的內(nèi)阻很小，而薄膜電容器由于是采取卷繞方式，這樣就造成內(nèi)阻偏大。而這種偏大的內(nèi)阻帶來的另一負面影響就是，電容在反復(fù)充放電的過程中，內(nèi)阻會繼續(xù)變大，并且會在一定時候使電容在電路中失效。3、相對而言高壓陶瓷電容器的電壓更高薄膜電容器的電容相對來講，工作電壓是不如陶瓷電容的高，這是共識；4、從容量分析，高壓陶瓷電容的容量較小，薄膜電容的容量較大。陶瓷電容相比薄膜電容的優(yōu)勢1、高壓陶瓷電容器的尺寸更小。以同樣電壓等級的一個產(chǎn)品為例。如果要做一顆容量為1NF，工作電壓為10KVAC的高壓電容器，如果用高壓陶瓷電容器來生產(chǎn)。可以有好幾個選擇：比方說以Y5U材質(zhì)來生產(chǎn)，zui終產(chǎn)品直徑為，厚度，直徑16MM，厚度。但是，如果以高壓薄膜電容來生產(chǎn)，尺寸，厚度和高度都將大出很多，無法滿足實際應(yīng)用要求。2、高壓陶瓷電容器和高壓薄膜電容器的電壓等級不在同一個檔次上。福建高壓取電瓷片電容器陶瓷電容器安規(guī)電容器的作用及注意事項。

    A.可能原因:1.素地致密性極差2.素地里面有裂痕﹑氣泡﹑導(dǎo)電雜質(zhì)等B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.素子中心及其周邊位置針kong2.素子中心及其周邊位置針kong。同時此位置部份陶瓷炸裂。3.裂痕（先針kong后裂痕﹐素子表面有燒蝕碳化之小黑點﹐裂痕為新跡。）C.應(yīng)對措施:1.素子外觀（擴散﹑側(cè)邊沾銀）管控﹔2.助焊劑液面控管適中﹐及瓷片浸入深度控管﹔3.及時徹底清理錫槽中的錫渣等雜質(zhì)﹔4.涂料的絕緣品質(zhì)證﹔5.涂料包封及固化工序質(zhì)量保證。陶瓷電容器失效的七大原因：1.潮濕對電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外，對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環(huán)境對電容器參數(shù)惡化的影響極為顯著。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無法根除的。例如，電容器的工作于高溫條件下，水分子在電場作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產(chǎn)生電化學腐蝕。即使烘干去濕，也不可能使引線復(fù)原。2.銀離子遷移的后果無機介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作時。

    可以達到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環(huán)境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會（EIA）標準的Z5U、Y5V以及我國標準的CT系列的低檔產(chǎn)品型號等陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%），這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達到1000~12000），因而電容量可以做得比更大，適用于一般工作環(huán)境溫度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質(zhì)電容器量甚至可以達到100μF，在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國標準EIA-198-D，在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分：第yi部分為（例如字母C）溫度系數(shù)α的有效數(shù)字；第二位部分有效數(shù)字的倍乘（如0即為100）；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）?，F(xiàn)貨銷售Y1Y2陶瓷電容器。

    比如英文字母C）溫度系數(shù)α的有效數(shù)字；第二位一部分有效數(shù)字的倍乘（如0即是100）；第三部分成隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差（以ppm/℃表明）。這三一部分的英文字母與數(shù)據(jù)所表述的實際意義如表。比如，C0G（有時候也稱之為NP0）表明為：***位英文字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為合理溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位英文字母G為隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差為±30ppm/℃，即0±30ppm/℃；C0H各自表明為：***位英文字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為合理溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位英文字母H為隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差為±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H則各自表明為：***位字母S為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為，第二位數(shù)字2為合理溫度系數(shù)的倍乘為102=100，第三位英文字母H為隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差為±60ppm/℃，即－330±60ppm/℃***類陶瓷電容器的電容量幾乎不隨溫度轉(zhuǎn)變，下邊以C0G介質(zhì)為例子。C0G介質(zhì)的變化量僅0±30ppm/℃，事實上C0G的電容量隨溫度轉(zhuǎn)變低于0±30ppm/℃，大概為0±30ppm/℃的一半第二類瓷器介質(zhì)電容器的溫度特性依據(jù)國際標準EIA-198-D，再用英文字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度特性有三一部分：***部分成（比如英文字母X）**少工作中溫度。蘇州海視達電子科技有限公司，陶瓷電容器供應(yīng)，如有需要歡迎來電咨詢。貴州超高壓瓷片電容器陶瓷電容器

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    多層片狀陶介電容器具體不良可分為:1、熱擊失效2、扭曲破裂失效3、原材失效三個大類（１）熱擊失效模式：熱擊失效的原理是：在制造多層陶瓷電容時，使用各種兼容材料會導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率。當溫度轉(zhuǎn)變率過大時就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象，這種破裂往往從結(jié)構(gòu)zui弱及機械結(jié)構(gòu)zui集中時發(fā)生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產(chǎn)生zui大機械張力的地方（一般在晶體zui堅硬的四角），而熱擊則可能造成多種現(xiàn)象：第yi種是顯而易見的形如指甲狀或U-形的裂縫第二種是隱藏在內(nèi)的微小裂縫第二種裂縫也會由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部開始，并隨溫度的轉(zhuǎn)變，或于組裝進行時，順著扭曲而蔓延開來（見圖4）。第yi種形如指甲狀或U-形的裂縫和第二種隱藏在內(nèi)的微小裂縫，兩者的區(qū)別只是后者所受的張力較小，而引致的裂縫也較輕微。第yi種引起的破裂明顯，一般可以在金相中測出，第二種只有在發(fā)展到一定程度后金相才可測。（２）扭曲破裂失效此種不良的可能性很多：按大類及表現(xiàn)可以分為兩種：第yi種情況、SMT階段導(dǎo)致的破裂失效當進行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時，取放的定中爪因為磨損、對位不準確，傾斜等造成的。內(nèi)蒙古陶瓷電容器廠家

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