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麗水12英寸半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-05

中清航科ESG解決方案:設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊,智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告,助力客戶達(dá)成碳中和目標(biāo),已獲全球25家代工廠采購(gòu)認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開(kāi)發(fā)脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層,剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%,剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng):通過(guò)LIBS(激光誘導(dǎo)擊穿光譜)在線分析顆粒元素構(gòu)成,自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效,良率提升1.2%。晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案,效率達(dá)6000片/小時(shí)。麗水12英寸半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

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面向磁傳感器制造,中清航科開(kāi)發(fā)超導(dǎo)磁懸浮切割臺(tái)。晶圓在強(qiáng)磁場(chǎng)(0.5T)下懸浮,消除機(jī)械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動(dòng)控制在±0.5%。中清航科電化學(xué)回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達(dá)99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價(jià)值超$80萬(wàn),回收水符合SEMI F78標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)零廢液排放。針對(duì)HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。




浙江sic晶圓切割測(cè)試晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開(kāi)放,已認(rèn)證工程師超800名。

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隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對(duì)晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì),承諾在收到客戶新樣品后 72 小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報(bào)告與樣品測(cè)試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場(chǎng)先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要,中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn),在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門(mén)檢測(cè)、過(guò)載保護(hù)等,同時(shí)配備安全警示系統(tǒng),實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn),確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。

在晶圓切割的邊緣檢測(cè)精度提升上,中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺(jué)技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)高分辨率工業(yè)相機(jī)從不同角度采集晶圓邊緣圖像,經(jīng)三維重建算法精確計(jì)算邊緣位置,即使晶圓存在微小翹曲,也能確保切割路徑的精確定位,邊緣檢測(cè)誤差控制在 1μm 以內(nèi),大幅提升切割良率。為適應(yīng)半導(dǎo)體工廠的能源管理需求,中清航科的切割設(shè)備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)設(shè)備的電壓、電流、功率等能源參數(shù),生成能耗分析報(bào)表,識(shí)別能源浪費(fèi)點(diǎn)并提供優(yōu)化建議。同時(shí)支持峰谷用電策略,可根據(jù)工廠電價(jià)時(shí)段自動(dòng)調(diào)整運(yùn)行計(jì)劃,降低能源支出。中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認(rèn)證,月產(chǎn)能達(dá)50萬(wàn)片。

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隨著芯片輕薄化趨勢(shì),中清航科DBG(先切割后研磨)與SDBG(半切割后研磨)設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù),切割階段只切入晶圓1/3厚度,經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%,已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過(guò)濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒,配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑,減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定,延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發(fā),雜質(zhì)濃度自動(dòng)控制<1ppm。金華碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸,良率99.3%。麗水12英寸半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

對(duì)于高價(jià)值的晶圓產(chǎn)品,切割過(guò)程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng),每片晶圓進(jìn)入設(shè)備后都會(huì)生成單獨(dú)的二維碼標(biāo)識(shí),全程記錄切割時(shí)間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測(cè)結(jié)果等信息,可通過(guò)掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù),為質(zhì)量追溯與問(wèn)題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面,中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制,開(kāi)發(fā)出激光倒角技術(shù)??稍谇懈畹耐瑫r(shí)完成晶圓邊緣的圓弧處理,倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內(nèi),有效減少邊緣應(yīng)力集中,提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運(yùn)與清洗的晶圓加工流程。麗水12英寸半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

標(biāo)簽: 晶圓切割 流片代理 封裝