EUV光刻技術(shù)的發(fā)展能否趕得上集成電路制造技術(shù)的要求？這仍然是一個問題。當(dāng)然，EUV光刻技術(shù)的進(jìn)步也是巨大的。截止2016年，用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的EUV光刻機(jī)，已經(jīng)被安裝在晶圓廠，并投入使用 [1]。EUV光刻所能提供的高分辨率已經(jīng)被實驗所證實。光刻機(jī)供應(yīng)商已經(jīng)分別實現(xiàn)了20nm和14nm節(jié)點(diǎn)的SRAM的曝光，并與193i曝光的結(jié)果做了對比。顯然，即使是使用研發(fā)機(jī)臺，EUV曝光的分辨率也遠(yuǎn)好于193i。14nm節(jié)點(diǎn)圖形的曝光聚焦深度能到達(dá)250nm以上。 [1]c、焦距控片（Focus MC）：作為光刻機(jī)監(jiān)控焦距監(jiān)控；吳中區(qū)耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

**普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。整個顯影過程中，TMAH沒有同PHS發(fā)生反應(yīng)。b、負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。常州常見光刻系統(tǒng)按需定制國內(nèi)上海微電子裝備股份有限公司研制的紫外光刻機(jī)占據(jù)中端市場 [7]。

得指出的是，EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點(diǎn)（對應(yīng)邏輯器件130nm節(jié)點(diǎn)）就能用上EUV光刻機(jī) [1]?？墒牵@一技術(shù)一直達(dá)不到晶圓廠量產(chǎn)光刻所需要的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機(jī)仍然沒能投入量產(chǎn)。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機(jī)，依靠雙重光刻的辦法來實現(xiàn)32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產(chǎn)。不斷延誤，對EUV技術(shù)來說，有利也有弊。一方面，它可以獲得更多的時間來解決技術(shù)問題，提高性能參數(shù)；另一方面，下一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)會對EUV提出更高的要求。

b、堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；c、進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低***填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差。另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。對準(zhǔn)方法：a、預(yù)對準(zhǔn)，通過硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動對準(zhǔn)；

極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代光刻技術(shù)，其波長為13.5納米，預(yù)計將于2020年得到廣泛應(yīng)用。幾乎所有的光學(xué)材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強(qiáng)的吸收，因此，EUV光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)只有使用反光鏡 [1]。極紫外光刻的實際應(yīng)用比原先估計的將近晚了10多年。 [2]在曝光過程中，需要對不同的參數(shù)和可能缺陷進(jìn)行跟蹤和控制，會用到檢測控制芯片/控片（Monitor Chip）。常州常見光刻系統(tǒng)按需定制

b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增?qiáng)表面的黏附性六甲基二硅胺烷）。吳中區(qū)耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

③縮短圖像傳遞鏈，減少工藝上造成的缺陷和誤差，可獲得很高的成品率。④采用精密自動調(diào)焦技術(shù)，避免高溫工藝引起的晶片變形對成像質(zhì)量的影響。⑤采用原版自動選擇機(jī)構(gòu)（版庫），不但有利于成品率的提高，而且成為能靈活生產(chǎn)多電路組合的常規(guī)曝光系統(tǒng)。浸入式光刻技術(shù)原理這種系統(tǒng)屬于精密復(fù)雜的光、機(jī)、電綜合系統(tǒng)。它在光學(xué)系統(tǒng)上分為兩類。一類是全折射式成像系統(tǒng)，多采用1/5～1/10的縮小倍率,技術(shù)較成熟；一類是1:1倍的折射-反射系統(tǒng)，光路簡單，對使用條件要求較低。吳中區(qū)耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

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