鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵結(jié)合,為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法,幫助企業(yè)快速定位失效原因,改進生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣,可能是設(shè)計缺陷、材料問題、制造過程中的污染,也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測試等,不僅操作復(fù)雜、耗時較長,而且可能會破壞失效芯片的原始狀態(tài),難以準確找到失效根源。通過對失效芯片施加特定的電激勵,模擬其失效前的工作狀態(tài),鎖相熱成像系統(tǒng)能夠記錄芯片表面的溫度變化過程,并將其與正常芯片的溫度數(shù)據(jù)進行對比分析,從而找出失效位置和失效原因。例如,當(dāng)芯片因靜電損傷而失效時,系統(tǒng)會檢測到芯片的輸入端存在異常的高溫區(qū)域;當(dāng)芯片因熱疲勞失效時,會在芯片的焊接點處發(fā)現(xiàn)溫度分布不均的現(xiàn)象?;谶@些分析結(jié)果,企業(yè)可以有針對性地改進生產(chǎn)工藝,減少類似失效問題的發(fā)生。電激勵的波形選擇(正弦波、方波等)會影響熱信號的特征,鎖相熱成像系統(tǒng)需針對不同波形優(yōu)化處理算法。顯微鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試
性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實力。RTTLIT P20 的測溫靈敏度達 0.1mK,意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動,相當(dāng)于能檢測到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷;2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達到微米級,可清晰呈現(xiàn)芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測器,卻通過算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃,在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過熱等檢測場景中,既能滿足精度需求,又具備更高的性價比。此外,設(shè)備的一體化設(shè)計將可見光、熱紅外、微光三大成像模塊集成,配合自動化工作臺的精細控制,實現(xiàn)了 “一鍵切換檢測模式”“雙面觀測無死角” 等便捷操作,大幅降低了操作復(fù)雜度。芯片用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)價格電激勵頻率可調(diào),適配鎖相熱成像系統(tǒng)多場景檢測。
致晟光電在推動產(chǎn)學(xué)研一體化進程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院,專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題,不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數(shù)優(yōu)于進口設(shè)備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系,搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)實踐、項目管理全鏈條的育人平臺,輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力,實現(xiàn)了高校科研資源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)勢互補。
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器,其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合,呈現(xiàn)物體表面溫度分布,分辨率達微米級,可觀察半導(dǎo)體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢,無需與被測物體直接接觸,避免了對樣品的干擾,適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態(tài)熱變化,如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校,熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實驗;在企業(yè),為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測提供支持,推動各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵下的缺陷無所遁形。
致晟光電的一體化檢測設(shè)備,不僅是技術(shù)的集成,更是對半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測” 與 “微弱信號檢測” 不再是選擇題,而是能同時實現(xiàn)的標準配置。在國產(chǎn)替代加速推進的背景下,這類自主研發(fā)的失效分析檢測設(shè)備,正逐步打破國外品牌在半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域的技術(shù)壟斷,為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅實的設(shè)備支撐。未來隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起,對失效分析的要求將進一步提升,而致晟光電的技術(shù)探索,無疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑??焖俣ㄎ幌啾绕渌麢z測技術(shù),鎖相熱成像技術(shù)能夠在短時間內(nèi)快速定位熱點,縮短失效分析時間??蒲杏面i相紅外熱成像系統(tǒng)P10
鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵檢測效率大幅提升。顯微鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試
在產(chǎn)品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理——無論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問題,都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié),失效分析的價值體現(xiàn)在對全鏈條潛在風(fēng)險的追溯與排查:在設(shè)計(含選型)階段,可通過模擬失效驗證方案合理性;制造環(huán)節(jié),能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患;使用過程中,可解析環(huán)境因素對性能衰減的影響;質(zhì)量管理層面,則為標準優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。顯微鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試