實現(xiàn)電氣隔離：在需要電氣隔離的應用中，驅動電路通過光耦、變壓器等隔離器件，將輸入信號與輸出信號隔離開來，提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅動電路的分類按功率器件的接地類型分類：直接接地驅動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅動以及圖騰柱驅動等。浮動接地驅動：功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動，典型的為自舉驅動電路。按電路結構分類：隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。非隔離驅動電路：不具有電氣隔離結構，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。嘉定區(qū)好的驅動電路量大從優(yōu)

另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。松江區(qū)推廣驅動電路量大從優(yōu)直接接地驅動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅動以及圖騰柱驅動等。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節(jié)：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。

優(yōu)良的驅動電路對變換器性能的影響驅動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關器件開關、導通損耗)3.減小開關器件應力(開/關過程中)4.降低EMI/EMC驅動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅動電路副邊與主電路有耦合關系，而驅動原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強絕緣，實現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅動信號參考地（e極） 同—驅動電路無需隔離；無需隔離控制參考地與驅動信號參考地（e極）不同—驅動電路應隔離。它是電子設備和系統(tǒng)中至關重要的組成部分，廣泛應用于計算機、通信設備、電視、汽車、機器人等領域。

可控硅前沿調光器若直接用于控制普通的LED驅動器，LED燈會產(chǎn)生閃爍，更不能實現(xiàn)寬范圍的調光控制。原因歸結如下：(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調光器功率等級不同，維持電流一般是7～75mA(驅動電流則是7～100mA)，導通后流過可控硅的電流必須要大于這個值才能繼續(xù)導通，否則會自行關斷。(2)阻抗匹配問題。當可控硅導通后，可控硅和驅動電路的阻抗都發(fā)生變化，且驅動電路由于有差模濾波電容的存在，呈容性阻抗，與可控硅調光器存在阻抗匹配的問題，因此在設計電路時一般需要使用較小的差模濾波電容。隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。普陀區(qū)挑選驅動電路生產(chǎn)企業(yè)

物理意義：指推動或驅使某物運動的力量或機制。例如，汽車的發(fā)動機驅動汽車前進。嘉定區(qū)好的驅動電路量大從優(yōu)

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2嘉定區(qū)好的驅動電路量大從優(yōu)

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