Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。快速自動(dòng)對(duì)焦：閉環(huán)對(duì)焦系統(tǒng)1秒完成，多層半自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

一所高校的電子工程實(shí)驗(yàn)室專注于新型傳感器的研究。在開(kāi)發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時(shí)，面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國(guó) Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性，讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求，設(shè)計(jì)并制作出獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)。通過(guò) Polos 光刻機(jī)precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現(xiàn)有市場(chǎng)產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項(xiàng)patent，并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注，有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。

某智能機(jī)器人實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)制造了磁控微納機(jī)器人。其激光直寫(xiě)技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu)，機(jī)器人在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)下的推進(jìn)速度達(dá) 50μm/s，轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過(guò)自定義三維運(yùn)動(dòng)軌跡，該機(jī)器人在微流控芯片中成功實(shí)現(xiàn)了單個(gè)紅細(xì)胞的捕獲與轉(zhuǎn)運(yùn)，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計(jì)（質(zhì)量 < 1μg）還支持在活細(xì)胞表面進(jìn)行納米級(jí)手術(shù)，相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長(zhǎng)期安全性問(wèn)題，某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無(wú)掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測(cè)試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過(guò)自定義螺旋狀天線圖案，開(kāi)發(fā)出的可降解心率監(jiān)測(cè)器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月，信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。生物界面創(chuàng)新：微納結(jié)構(gòu)可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。高頻元件驗(yàn)證：成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。四川光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤(pán)陣列，研究細(xì)胞浸潤(rùn)機(jī)制。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)