德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過(guò)程中，Polos 光刻機(jī)可precise刻畫(huà)出納米級(jí)別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)，成功開(kāi)發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運(yùn)算速度。而且，該光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計(jì)需求。無(wú)論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機(jī)都能以高精度、低成本的優(yōu)勢(shì)，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動(dòng)電子技術(shù)不斷創(chuàng)新?？蛻粽J(rèn)可：全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%，復(fù)購(gòu)率 75%，技術(shù)支持響應(yīng)時(shí)間 < 2 小時(shí)。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

在微流體研究領(lǐng)域，德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)脫穎而出。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無(wú)需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時(shí)，可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計(jì)，快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機(jī)，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動(dòng)，much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時(shí)，在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中，該光刻機(jī)制作的微流體芯片，為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長(zhǎng)環(huán)境，助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī)，正推動(dòng)微流體研究不斷向前。河北德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)分辨率1.5微米6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級(jí)重復(fù)精度0.1 μm。

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過(guò)無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度，成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過(guò)程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開(kāi)發(fā)。

針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長(zhǎng)期安全性問(wèn)題，某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無(wú)掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測(cè)試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過(guò)自定義螺旋狀天線圖案，開(kāi)發(fā)出的可降解心率監(jiān)測(cè)器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月，信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。POLOS μ 光刻機(jī)：微型化機(jī)身，納米級(jí)曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。

Polos光刻機(jī)與德國(guó)Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作，推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國(guó)精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。微流體3D成型：復(fù)雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米

掩模制備時(shí)間歸零，科研人員耗時(shí)減少 60%，項(xiàng)目交付周期縮短 50%。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫(xiě)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過(guò)自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國(guó)新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河南POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米